Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• транзистор түрү
  NPN - Pre-Biased
• ток - коллектор (ic) (макс)
  100 mA
• чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
  50 V
• резистор - база (r1)
  2.2 kOhms
• резистор - эмитент базасы (r2)
  10 kOhms
• туруктуу токтун күчөшү (hfe) (мин) @ ic, vce
  33 @ 10mA, 5V
• vce каныккандыгы (макс) @ ib, ic
  300mV @ 500µA, 10mA
• ток - коллектордун кесилиши (макс)
  100nA (ICBO)
• жыштык - өтүү
  250 MHz
• күч - макс
  200 mW
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• берүүчү аппараттын пакети
  SOT-23-3 (TO-236)