Техникалык шарттар

• сериясы
  QFET®
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  400 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  3.4A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  1.6Ohm @ 1.7A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  13 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±30V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  460 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2.5W (Ta), 45W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  D-Pak
• пакет / кап
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63