HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Өндүрүүчү

Rochester Electronics

Продукт категориясы

транзисторлор - igbts - жалгыз

Description

IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Bulk
  • бөлүгү абалы
    Active
  • igbt түрү
    -
  • чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
    600 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    54 A
  • ток - коллектордук импульс (ICM)
    96 A
  • vce(on) (макс) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 12A
  • күч - макс
    167 W
  • энергияны алмаштыруу
    55µJ (on), 50µJ (off)
  • киргизүү түрү
    Standard
  • дарбаза акысы
    120 nC
  • td (күйгүзүү/өчүрүү) @ 25°c
    17ns/96ns
  • сыноо абалы
    390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • кайра калыбына келтирүү убактысы (trr)
    30 ns
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • берүүчү аппараттын пакети
    TO-263AB

HGT1S12N60A4DS Баасын суроо

Кампада 9589
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
3.43000
Максаттуу баа:
Бардыгы:3.43000

Маалымат жадыбалы