IPT65R105G7XTMA1

IPT65R105G7XTMA1

Өндүрүүчү

Rochester Electronics

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз

Description

MOSFET N-CH 650V 24A HSOF-8-2

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    CoolMOS™ C7
  • пакет
    Bulk
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    650 V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    24A (Tc)
  • диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
    10V
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    105mOhm @ 8.9A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ id
    4V @ 440µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±20V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    1.67 pF @ 400 V
  • fet өзгөчөлүгү
    -
  • кубаттуулукту сарптоо (макс)
    156W (Tc)
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • берүүчү аппараттын пакети
    PG-HSOF-8-2
  • пакет / кап
    8-PowerSFN

IPT65R105G7XTMA1 Баасын суроо

Кампада 11453
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
2.83000
Максаттуу баа:
Бардыгы:2.83000

Маалымат жадыбалы