Техникалык шарттар

• сериясы
  CoolMOS™ C7
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  650 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  24A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  95mOhm @ 11.8A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 590µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  45 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2140 pF @ 400 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  128W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  PG-TO247
• пакет / кап
  TO-247-3