Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  40 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  100A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  9mOhm @ 60A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  93 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  -
• иштөө температурасы
  -
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-262
• пакет / кап
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA