Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  2.7V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  35mOhm @ 4.1A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  700mV @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  22 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±12V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  650 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2.5W (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  8-SO
• пакет / кап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)