Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  14A (Ta), 60A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  7.3mOhm @ 14A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.4V @ 25µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1.43 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2.2W (Ta), 42W (Tc)
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  DIRECTFET™ SQ
• пакет / кап
  DirectFET™ Isometric SQ