Техникалык шарттар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  150 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  5.5A
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  -
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс) @ id
  -
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (максимум)
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  -
• fet өзгөчөлүгү
  Standard
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  75W
• иштөө температурасы
  -
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-204AE
• пакет / кап
  TO-204AE