Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• жетектелген конфигурация
  Half-Bridge
• канал түрү
  Independent
• айдоочулардын саны
  2
• дарбаза түрү
  IGBT, N-Channel MOSFET
• чыңалуу - берүү
  10V ~ 20V
• логикалык чыңалуу - vil, vih
  0.8V, 2.5V
• учурдагы - жогорку чыгуу (булак, чөгүп)
  290mA, 600mA
• киргизүү түрү
  Non-Inverting
• жогорку каптал чыңалуу - макс (жүктөө)
  200 V
• көтөрүлүү / түшүү убактысы (тип)
  70ns, 35ns
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 125°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• пакет / кап
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• берүүчү аппараттын пакети
  8-DIP