Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  12 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  5A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.8V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  43mOhm @ 3A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  -
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  6.9 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  660 pF @ 6 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.5W (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  6-MCPH
• пакет / кап
  6-SMD, Flat Leads