Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.5V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  85mOhm @ 3A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  8.5 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  450 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  600mW (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  6-UDFN (1.6x1.6)
• пакет / кап
  6-PowerUFDFN