NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

Өндүрүүчү

Rochester Electronics

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

P-CHANNEL POWER MOSFET

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Bulk
  • бөлүгү абалы
    Obsolete
  • фет түрү
    N and P-Channel
  • fet өзгөчөлүгү
    Logic Level Gate
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    20V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    5.2A, 3.4A
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    43mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ id
    1.2V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    20nC @ 4.5V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    1100pF @ 10V
  • күч - макс
    2W
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • берүүчү аппараттын пакети
    8-SOIC

NTMD2C02R2G Баасын суроо

Кампада 27863
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.37000
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.37000

Маалымат жадыбалы