Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  7.4A (Ta), 35A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  9mOhm @ 30A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  2.2V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  17.6 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  1.205 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  910mW (Ta), 19.8W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  5-DFN (5x6) (8-SOFL)
• пакет / кап
  8-PowerTDFN, 5 Leads