Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Standard
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  4.6A (Ta)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  37mOhm @ 4.6A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  4.7nC @ 4.5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  265pF @ 10V
• күч - макс
  510mW (Ta), 8.33W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  6-UDFN Exposed Pad
• берүүчү аппараттын пакети
  6-HUSON-EP (2x2)