Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  15 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  1.27A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  2.7V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  +2V, -15V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  -
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  504mW (Ta)
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  8-TSSOP
• пакет / кап
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)