Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Tray
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 68mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  -
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  35000pF @ 10V
• күч - макс
  1875W
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  Module