Техникалык шарттар

• сериясы
  DeepGATE™, STripFET™ VII
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  100 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  4.5A (Ta), 18A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  70mOhm @ 2.25A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  4.5V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  7.8 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  408 pF @ 50 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  2.9W (Ta), 50W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  PowerFlat™ (3.3x3.3)
• пакет / кап
  8-PowerVDFN