Техникалык шарттар

• сериясы
  NexFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  25 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  100A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  4.5V, 10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  0.59mOhm @ 50A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  1.9V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  250 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  14000 pF @ 12 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  3.2W (Ta), 195W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  8-VSONP (5x6)
• пакет / кап
  8-PowerTDFN