Техникалык шарттар

• сериясы
  NexFET™
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Logic Level Gate
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  20A
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (макс) @ id
  2.1V @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  5.8nC @ 4.5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  900pF @ 15V
• күч - макс
  6W
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• пакет / кап
  8-PowerLDFN
• берүүчү аппараттын пакети
  8-LSON (3.3x3.3)