RN2106MFV,L3F(CT

RN2106MFV,L3F(CT

Өндүрүүчү

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Продукт категориясы

транзисторлор - биполярдуу (bjt) - бир, алдын ала объективдүү

Description

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Active
  • транзистор түрү
    PNP - Pre-Biased
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    100 mA
  • чыңалуу - коллектордук эмитенттин бузулушу (макс)
    50 V
  • резистор - база (r1)
    4.7 kOhms
  • резистор - эмитент базасы (r2)
    47 kOhms
  • туруктуу токтун күчөшү (hfe) (мин) @ ic, vce
    80 @ 10mA, 5V
  • vce каныккандыгы (макс) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • ток - коллектордун кесилиши (макс)
    500nA
  • жыштык - өтүү
    250 MHz
  • күч - макс
    150 mW
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    SOT-723
  • берүүчү аппараттын пакети
    VESM

RN2106MFV,L3F(CT Баасын суроо

Кампада 56423
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.18000
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.18000