Техникалык шарттар

• сериясы
  U-MOSIII
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  30 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  3.5A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.8V, 4V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  126mOhm @ 1A, 4V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1.5 nC @ 4 V
• vgs (максимум)
  ±12V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  123 pF @ 15 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1W (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  SOT-23F
• пакет / кап
  SOT-23-3 Flat Leads