Техникалык шарттар

• сериясы
  U-MOSVII-H
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  800mA (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.2V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  57mOhm @ 800mA, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  1V @ 1mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  2 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  177 pF @ 10 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1W (Ta)
• иштөө температурасы
  150°C
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  UFM
• пакет / кап
  3-SMD, Flat Lead