TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X

Өндүрүүчү

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз

Description

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    DTMOSIV
  • пакет
    Tube
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    650 V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    11.1A (Ta)
  • диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
    10V
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    390mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ id
    3.5V @ 450µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    ±30V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    890 pF @ 300 V
  • fet өзгөчөлүгү
    -
  • кубаттуулукту сарптоо (макс)
    35W (Tc)
  • иштөө температурасы
    150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Through Hole
  • берүүчү аппараттын пакети
    TO-220SIS
  • пакет / кап
    TO-220-3 Full Pack

TK11A65W,S5X Баасын суроо

Кампада 14807
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
2.15000
Максаттуу баа:
Бардыгы:2.15000

Маалымат жадыбалы