Техникалык шарттар

• сериясы
  DTMOSIV-H
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  600 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  30.8A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  10V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  88mOhm @ 9.4A, 10V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.5V @ 1.5mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  65 nC @ 10 V
• vgs (максимум)
  ±30V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  3000 pF @ 300 V
• fet өзгөчөлүгү
  Super Junction
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  230W (Tc)
• иштөө температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-247
• пакет / кап
  TO-247-3