SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    2 P-Channel (Dual)
  • fet өзгөчөлүгү
    Logic Level Gate
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    20V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    4.9A
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    32mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ id
    1.4V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    21nC @ 4.5V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    -
  • күч - макс
    1.1W
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • берүүчү аппараттын пакети
    8-SO

SI4963BDY-T1-GE3 Баасын суроо

Кампада 25211
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.82500
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.82500

Маалымат жадыбалы