Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  20 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  6.8A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  2.5V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  14mOhm @ 8.1A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  450mV @ 250µA (Min)
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  27 nC @ 5 V
• vgs (максимум)
  ±8V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  -
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.05W (Ta)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  8-TSSOP
• пакет / кап
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)