Техникалык шарттар

• сериясы
  TrenchFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  8 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  6.3A (Ta)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  1.2V, 4.5V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  20mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ id
  800mV @ 250µA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  40 nC @ 4.5 V
• vgs (максимум)
  ±5V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2340 pF @ 4 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
• иштөө температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Surface Mount
• берүүчү аппараттын пакети
  4-Microfoot
• пакет / кап
  4-UFBGA, WLCSP