SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - жалгыз

Description

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    TrenchFET® Gen IV
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    25 V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    20.1A (Ta), 40A (Tc)
  • диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
    4.5V, 10V
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ id
    2.5V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (максимум)
    +16V, -12V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    1090 pF @ 12.5 V
  • fet өзгөчөлүгү
    -
  • кубаттуулукту сарптоо (макс)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • берүүчү аппараттын пакети
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • пакет / кап
    PowerPAK® SC-70-6

SIAA00DJ-T1-GE3 Баасын суроо

Кампада 37860
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
0.27072
Максаттуу баа:
Бардыгы:0.27072

Маалымат жадыбалы