SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Өндүрүүчү

Vishay / Siliconix

Продукт категориясы

транзисторлор - феттер, мосфеттер - массивдер

Description

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

RFQ электрондук почтасы: [email protected] or Онлайн сурайт

Техникалык шарттар

  • сериясы
    TrenchFET® Gen III
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлүгү абалы
    Active
  • фет түрү
    2 P-Channel (Dual)
  • fet өзгөчөлүгү
    Standard
  • чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
    20V
  • ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
    20.1mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ id
    1V @ 250µA
  • дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
    42nC @ 10V
  • киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
    2565pF @ 10V
  • күч - макс
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • иштөө температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждоо түрү
    Surface Mount
  • пакет / кап
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • берүүчү аппараттын пакети
    PowerPAK® 1212-8 Dual

SIS903DN-T1-GE3 Баасын суроо

Кампада 20298
Саны:
Бирдиктин баасы (маалымат баасы):
1.03000
Максаттуу баа:
Бардыгы:1.03000

Маалымат жадыбалы