Техникалык шарттар

• сериясы
  C2M™
• пакет
  Tube
• бөлүгү абалы
  Not For New Designs
• фет түрү
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1700 V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• диск чыңалуу (максималдуу рдс күйгүзүү, мин рдс күйгүзүү)
  20V
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 18mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (максимум)
  +25V, -10V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet өзгөчөлүгү
  -
• кубаттуулукту сарптоо (макс)
  520W (Tc)
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Through Hole
• берүүчү аппараттын пакети
  TO-247-4
• пакет / кап
  TO-247-4