Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Box
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Dual)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  395A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  5.3mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.6V @ 92mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  908nC @ 15V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  2450pF @ 800V
• күч - макс
  -
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  -