Техникалык шарттар

• сериясы
  Z-REC™
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Obsolete
• фет түрү
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  444A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  4.3mOhm @ 400A, 20V
• vgs(th) (макс) @ id
  4V @ 105mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  1127nC @ 20V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  -
• күч - макс
  3000W
• иштөө температурасы
  175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  -
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  Module