Техникалык шарттар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлүгү абалы
  Active
• фет түрү
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet өзгөчөлүгү
  Silicon Carbide (SiC)
• чыңалуу булагына чейин төгүү (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үзгүлтүксүз агып чыгуу (id) @ 25°c
  382A (Tc)
• rds боюнча (максималдуу) @ id, vgs
  5.2mOhm @ 300A, 15V
• vgs(th) (макс) @ id
  3.6V @ 92mA
• дарбаза заряды (qg) (макс) @ vgs
  908nC @ 15V
• киргизүү сыйымдуулугу (ciss) (макс) @ vds
  24500pF @ 1000V
• күч - макс
  -
• иштөө температурасы
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждоо түрү
  Chassis Mount
• пакет / кап
  Module
• берүүчү аппараттын пакети
  Module